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什么是光開(kāi)關(guān)?一文讀懂其工作原理與分類(lèi)

2025-12-25

什么是光開(kāi)關(guān)?它的工作原理是什么?有哪些主要分類(lèi)?當前的技術(shù)難點(diǎn)和發(fā)展趨勢又如何?

在當今信息爆炸的時(shí)代,數據中心、5G通信、云計算和人工智能等技術(shù)的迅猛發(fā)展,對數據傳輸的速度與效率提出了前所未有的高要求。作為支撐這些關(guān)鍵技術(shù)的核心器件之一,光開(kāi)關(guān)正逐漸從實(shí)驗室走向產(chǎn)業(yè)應用,成為現代高速光網(wǎng)絡(luò )中不可或缺的關(guān)鍵組件。





一、什么是光開(kāi)關(guān)?

簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),光開(kāi)關(guān)是一種能夠控制光信號路徑切換的光學(xué)器件。它可以在不同的輸入端口和輸出端口之間建立或斷開(kāi)光路連接,實(shí)現光信號的路由選擇、保護倒換、波長(cháng)管理等功能。

你可以把它類(lèi)比為傳統電路中的“電閘”——只不過(guò)這個(gè)“閘”控制的是光信號而不是電流。當需要改變數據流向時(shí),光開(kāi)關(guān)會(huì )以極快的速度完成通道切換,確保信息高效、低延遲地傳輸。

隨著(zhù)數據中心流量年均增長(cháng)超過(guò)25%,傳統電交換機已接近功耗極限(約300W),難以滿(mǎn)足未來(lái)超大帶寬、超低時(shí)延的需求。而光交換技術(shù)憑借高容量、低功耗、低延遲的優(yōu)勢,被認為是下一代數據中心網(wǎng)絡(luò )演進(jìn)的重要方向。

正如浙江大學(xué)該篇碩士論文摘要中指出:“光交換技術(shù)具有高容量、低延時(shí)、低功耗等優(yōu)點(diǎn),符合當下數據中心對新一代交換技術(shù)的需求?!?/span>

因此,研究并制造高性能、可擴展性強的大規模陣列光開(kāi)關(guān),已成為國內外科研機構和企業(yè)競相布局的重點(diǎn)領(lǐng)域。




二、光開(kāi)關(guān)的基本工作原理

要理解光開(kāi)關(guān)的工作機制,首先要了解它是如何通過(guò)物理效應來(lái)調控光信號的。

根據調制方式的不同,主流光開(kāi)關(guān)主要依賴(lài)以下兩種物理效應:


1.熱光效應(Thermo-OpticEffect)

熱光效應是指材料的折射率隨溫度變化而發(fā)生變化的現象。在硅基光子學(xué)中,常用二氧化硅包覆的硅波導結構,通過(guò)在波導上方集成微加熱器,局部加熱使波導區域的折射率發(fā)生改變,從而實(shí)現相位調制。

典型應用是熱光型馬赫-曾德?tīng)柛缮鎯x(MZI)結構。在一個(gè)MZI中,輸入光被分成兩束,在兩個(gè)臂上傳播后重新合并。當其中一個(gè)臂被加熱產(chǎn)生π相移時(shí),兩束光發(fā)生相消干涉,輸出端口切換,實(shí)現“開(kāi)”與“關(guān)”的狀態(tài)轉換。

這種開(kāi)關(guān)的優(yōu)點(diǎn)是結構穩定、易于集成,但缺點(diǎn)是響應速度較慢(通常在微秒級),功耗相對較高。


InGaAs/InP材料2x2開(kāi)關(guān)單元結構 - 廣西科毅光通信

InGaAs/InP材料2x2開(kāi)關(guān)單元結構





2.電光效應(Electro-OpticEffect)

電光效應則是利用外加電壓改變材料折射率,進(jìn)而調控光信號路徑。在硅基平臺上,由于硅本身不具備顯著(zhù)的線(xiàn)性電光效應,研究人員多采用載流子色散效應(PlasmaDispersionEffect)來(lái)實(shí)現高速調制。

通過(guò)在PN結或PIN結構上施加正向偏壓,注入自由載流子,改變硅波導的有效折射率,從而實(shí)現快速相位調節。這類(lèi)開(kāi)關(guān)響應速度快(可達納秒甚至皮秒級),非常適合用于動(dòng)態(tài)光網(wǎng)絡(luò )。

例如,論文中提到的基于PIN結構的電光開(kāi)關(guān)單元,測試顯示其串擾低于-29dB,插入損耗約1.1dB,具備良好的高速性能。

16x16Benes網(wǎng)絡(luò )光開(kāi)關(guān)陣列芯片結構圖 - 廣西科毅光通信

16x16 Benes網(wǎng)絡(luò )光開(kāi)關(guān)陣列芯片結構圖




三、光開(kāi)關(guān)的主要分類(lèi)

按照不同的標準,光開(kāi)關(guān)可以分為多種類(lèi)型。以下是幾種常見(jiàn)的分類(lèi)方式:

(一)按工作原理分類(lèi)

類(lèi)型

原理

特點(diǎn)

熱光開(kāi)關(guān)

利用加熱改變折射率

結構簡(jiǎn)單、穩定性好、功耗低、響應慢(μs級)

電光開(kāi)關(guān)

載流子注入改變折射率

響應快(ns~ps級)、適合高頻切換、設計復雜

MEMS開(kāi)關(guān)

微機械鏡面偏轉引導光路

插損低、端口數多、體積大、抗振性差

液晶開(kāi)關(guān)

液晶分子取向調控偏振

成本低、功耗小、速度慢

SOA開(kāi)關(guān)

半導體光放大器增益控制

可同時(shí)放大與開(kāi)關(guān)、集成難度高

其中,硅基熱光與電光開(kāi)關(guān)因兼容CMOS工藝、易于大規模集成,近年來(lái)受到廣泛關(guān)注。

(二)按集成平臺分類(lèi)

  • 硅基光子集成平臺(SOI):成本低、尺寸小、易與電子電路單片集成,適合大規模生產(chǎn)。

  • III-V族材料平臺(如InP):具有優(yōu)異的電光性能,但成本高、難集成。

  • 氮化硅(SiN)平臺:超低損耗、寬透明窗口,適合長(cháng)距離傳輸。

  • PLC平臺(平面光波導):成熟商用,常用于32×32以下陣列,但擴展性有限。

圖片2.jpg

32×32 Benes網(wǎng)絡(luò )拓撲結構圖解

(三)按網(wǎng)絡(luò )拓撲結構分類(lèi)

大規模陣列光開(kāi)關(guān)通常采用特定的互連網(wǎng)絡(luò )結構,以保證任意輸入均可無(wú)阻塞地連接到任意輸出。

常見(jiàn)結構包括:

  • Crossbar交叉矩陣:全連接,無(wú)阻塞性能最好,但復雜度高(N2個(gè)開(kāi)關(guān)單元)

  • Benes網(wǎng)絡(luò ):遞歸結構,可重構且嚴格無(wú)阻塞,所需開(kāi)關(guān)單元少

  • Spanke-Benes網(wǎng)絡(luò ):Benes的改進(jìn)版,進(jìn)一步降低插入損耗

  • Dilated-Bene結構:增加中間級提升靈活性

論文中重點(diǎn)研究的就是128端口Benes網(wǎng)絡(luò )熱光陣列開(kāi)關(guān),這是目前除MEMS外最大規模的硅基可重構無(wú)阻塞網(wǎng)絡(luò )。



240×240 MEMS Crossbar網(wǎng)絡(luò )光開(kāi)關(guān)實(shí)物圖 - 廣西科毅光通信

240×240 MEMS Crossbar網(wǎng)絡(luò )光開(kāi)關(guān)實(shí)物圖



四、大規模陣列光開(kāi)關(guān)的技術(shù)挑戰

盡管光開(kāi)關(guān)前景廣闊,但在實(shí)際研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化過(guò)程中仍面臨諸多難題。

結合論文分析,主要有以下幾個(gè)方面:


1.插入損耗隨端口數增加而急劇上升

隨著(zhù)陣列規模擴大,光信號需經(jīng)過(guò)多個(gè)開(kāi)關(guān)單元和交叉波導,每一步都會(huì )引入額外損耗。若不加以?xún)?yōu)化,總損耗可能高達幾十dB,嚴重影響系統信噪比。

解決方案包括:

  • 設計低損耗2×2耦合器(如MMI或多模干涉儀)

  • 使用低串擾交叉波導結構

  • 引入半導體光放大器(SOA)進(jìn)行增益補償

論文中設計的2×2熱光開(kāi)關(guān)單元插入損耗僅為0.25dB,在整個(gè)40nm波長(cháng)范圍內串擾優(yōu)于-20dB,表現出優(yōu)異的寬帶性能。


2.光電封裝難度大

大規模陣列往往擁有上千個(gè)電學(xué)引腳(如本項目達1690個(gè)),如何實(shí)現高密度布線(xiàn)、散熱管理及可靠連接是一大挑戰。

論文創(chuàng )新性地設計了硅轉接板,解決了高密度引腳扇出問(wèn)題,并配合PCB驅動(dòng)電路模塊化設計,實(shí)現了對上千通道的精確控制。


3.偏振相關(guān)性問(wèn)題

大多數硅波導對TE和TM模式的響應不同,導致器件性能受偏振態(tài)影響。理想情況下應實(shí)現偏振無(wú)關(guān)操作。

部分研究嘗試采用雙層光柵、混合集成等方式緩解此問(wèn)題。例如中山大學(xué)團隊利用鈮酸鋰與硅混合集成,實(shí)現了偏振無(wú)關(guān)的2×2光開(kāi)關(guān)。


鈮酸鋰與硅混合集成偏振無(wú)關(guān)光開(kāi)關(guān)結構 - 廣西科毅光通信
鈮酸鋰與硅混合集成偏振無(wú)關(guān)光開(kāi)關(guān)結構



五、國內外研究現狀對比

下表總結了近年來(lái)全球范圍內代表性的大規模光開(kāi)關(guān)研究成果:

時(shí)間

開(kāi)關(guān)時(shí)間

平臺

工作原理

端口數

損耗(dB)

2016

~750μs

CMOS

熱光

32×32

23–28

2017

~3ns

CMOS

等離子色散

16×16

10.6

2019

~10μs

CMOS

熱光

32×32

6.1

2019

~0.4μs

MEMS

機械式

240×240

9.8

2020

~10ns

CMOS

等離子色散

8×8

7.5–10.5*

2021

——

CMOS

熱光

128×128

——

從中可以看出:

  • UCBerkeley的MEMS方案實(shí)現了240×240最大端口數

  • IBM首次實(shí)現8×8單片集成光電驅動(dòng)

  • 日本AIST的32×32熱光開(kāi)關(guān)達到較低片上損耗(6.1dB)

  • 本論文實(shí)現的128端口Benes網(wǎng)絡(luò )熱光開(kāi)關(guān),是當時(shí)除MEMS外最大規模的硅基可重構無(wú)阻塞陣列

這標志著(zhù)我國在硅基光子集成領(lǐng)域已具備國際競爭力。



六、光開(kāi)關(guān)的發(fā)展趨勢與未來(lái)

綜合來(lái)看,未來(lái)大規模陣列光開(kāi)關(guān)的發(fā)展將呈現以下趨勢:

1.向更高集成度演進(jìn)

追求更大規模(如256×256甚至1024×1024)、更低功耗、更小體積的一體化芯片。

2.多材料異質(zhì)集成

單一材料難以兼顧所有性能指標。未來(lái)的芯片或將融合硅、氮化硅、III-V族材料、鈮酸鋰等,發(fā)揮各自?xún)?yōu)勢。

3.單片集成驅動(dòng)電路

將控制邏輯、驅動(dòng)電源、監測單元等直接集成在同一芯片上,提升可靠性與響應速度。

4.智能化控制與自動(dòng)化測試

開(kāi)發(fā)配套的上位機程序與自動(dòng)校準算法,提高調試效率與量產(chǎn)可行性。



、光開(kāi)關(guān),正在重塑信息世界

從實(shí)驗室走向產(chǎn)線(xiàn),從理論走向應用,光開(kāi)關(guān)正逐步替代傳統的電交換設備,成為構建綠色、高效、智能數據中心的核心力量。



擇合適的光開(kāi)關(guān)等光學(xué)器件及光學(xué)設備是一項需要綜合考量技術(shù)、性能、成本和供應商實(shí)力的工作。希望本指南能為您提供清晰的思路。我們建議您在明確自身需求后,詳細對比關(guān)鍵參數,并優(yōu)先選擇像科毅光通信這樣技術(shù)扎實(shí)、質(zhì)量可靠、服務(wù)專(zhuān)業(yè)的合作伙伴。

 

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(注:本文部分內容由AI協(xié)助習作,僅供參考)

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