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2025-10-11
數據中心突發(fā)斷電時(shí),為何部分光開(kāi)關(guān)仍能維持光路切換?這一現象揭示了光開(kāi)關(guān)電源需求的核心規律:是否需要外部電源取決于其技術(shù)類(lèi)型。以科毅OSW-1×1機械式光開(kāi)關(guān)為例,其無(wú)源器件設計無(wú)需外部電源即可維持光路狀態(tài),而同類(lèi)品牌的OSW-2×2B型則需3.0V或5.0V驅動(dòng)電壓,這種差異源于機械結構與驅動(dòng)機制的不同。
光開(kāi)關(guān)電源需求分類(lèi)
?需外部電源型:MEMS光開(kāi)關(guān)(如梓冠光電16x16陣列,DC5V,功耗≤10W)、多數機械式(科毅m×n系列,5V/12V)。
?無(wú)需外部電源型:全光器件(AWGR、基于BIC微激光器的全光開(kāi)關(guān)),通過(guò)光波導干涉或光泵浦實(shí)現切換。
功耗方面,IEC61300-3-21:2019標準以“驅動(dòng)能量”為核心指標,衡量光路切換的能耗水平。不同技術(shù)路線(xiàn)差異顯著(zhù):磁光開(kāi)關(guān)因無(wú)機械部件,功耗顯著(zhù)低于MEMS開(kāi)關(guān);新型光子開(kāi)關(guān)(如85×85微米非厄米開(kāi)關(guān))更是實(shí)現萬(wàn)億分之一秒切換的同時(shí),將功耗降至極低水平。

科毅光開(kāi)關(guān)電源類(lèi)型分類(lèi)示意圖
光開(kāi)關(guān)的電源需求與其核心技術(shù)原理深度綁定,不同類(lèi)型在功耗特性、驅動(dòng)方式及工程實(shí)現上呈現顯著(zhù)差異,以下從技術(shù)原理、工程實(shí)現與行業(yè)對比三層維度展開(kāi)解析。
技術(shù)原理:通過(guò)物理位移(如光纖、棱鏡或反射鏡移動(dòng))實(shí)現光路切換,核心優(yōu)勢在于“光路無(wú)膠”工藝減少機械損耗。工程實(shí)現:以科毅OSW-1×1型號為例,其工作電壓為3.0V或5.0V,僅在切換瞬間需外部電源驅動(dòng)機械結構,切換完成后依靠機械鎖定維持狀態(tài),實(shí)現零持續功耗。行業(yè)對比:相較于需持續供電的MEMS或電磁驅動(dòng)型開(kāi)關(guān),機械式在靜態(tài)功耗上具備絕對優(yōu)勢,尤其適用于對長(cháng)期穩定性要求高的場(chǎng)景。
技術(shù)原理:基于微機電系統技術(shù),通過(guò)微鏡陣列偏轉改變光路,驅動(dòng)方式?jīng)Q定功耗水平——電磁驅動(dòng)通過(guò)磁鐵陣列控制微鏡,較傳統靜電驅動(dòng)(需高壓梳齒結構)顯著(zhù)降低能耗。工程實(shí)現:科毅MEMS光開(kāi)關(guān)采用5.0V工作電壓,其電磁驅動(dòng)微鏡陣列功耗測試數據≤50mW,配套3.3V低電壓供電模塊(見(jiàn)圖1)實(shí)現穩定驅動(dòng)。

科毅MEMS光開(kāi)關(guān)3.3V低電壓供電模塊
行業(yè)對比:靜電驅動(dòng)方案雖結構簡(jiǎn)單,但需較高驅動(dòng)電壓且功耗波動(dòng)大;電磁驅動(dòng)通過(guò)蛇形彈簧結構優(yōu)化,在相同切換速度下功耗降低40%以上,成為當前主流技術(shù)路徑。關(guān)于具體參數可參考MEMS光開(kāi)關(guān)功耗產(chǎn)品詳情頁(yè)。
技術(shù)原理:利用法拉第磁光效應,通過(guò)磁場(chǎng)調控偏振光方向實(shí)現切換,無(wú)機械運動(dòng)部件,從原理上規避機械損耗。工程實(shí)現:科毅與中科院合作開(kāi)發(fā)的石墨烯磁光開(kāi)關(guān),通過(guò)低電壓驅動(dòng)技術(shù)將響應時(shí)間壓縮至<100ps,較傳統磁光器件降低驅動(dòng)電壓60%,且靜態(tài)功耗趨近于零。行業(yè)對比:相較于MEMS開(kāi)關(guān)(功耗通常50-100mW),磁光開(kāi)關(guān)在量子通信、超算等對響應速度(<1ms)和功耗敏感場(chǎng)景中更具競爭力。
核心結論:不同類(lèi)型光開(kāi)關(guān)電源需求呈現“機械式(零靜態(tài)功耗)<磁光開(kāi)關(guān)(低電壓驅動(dòng))<MEMS開(kāi)關(guān)(動(dòng)態(tài)功耗可控)”的梯度特征,技術(shù)選型需結合場(chǎng)景對功耗、響應速度及成本的綜合要求。
光開(kāi)關(guān)技術(shù)路線(xiàn)的多樣性導致功耗水平呈現顯著(zhù)差異,科毅通過(guò)技術(shù)創(chuàng )新在低功耗領(lǐng)域形成核心競爭力。以下從參數對比與場(chǎng)景化應用兩方面展開(kāi)分析:
不同類(lèi)型光開(kāi)關(guān)的功耗、響應速度及行業(yè)優(yōu)勢對比數據如下:
類(lèi)型 | 規格 | 功耗 | 響應速度 | 行業(yè)對比 |
傳統電光開(kāi)關(guān) | 2×2基本單元 | 128.3mW | - | - |
MEMS光開(kāi)關(guān)(行業(yè)平均) | 2×2基本單元 | 42.8mW | 0.5ms(單模) | - |
科毅MEMS光開(kāi)關(guān) | 2×2基本單元 | 38.5mW | - | 較行業(yè)平均降低10% |
科毅磁光開(kāi)關(guān) | 4×4矩陣 | <154mW | - | 較傳統電光開(kāi)關(guān)降低70%以上 |
機械式光開(kāi)關(guān)(科毅) | 1x8 | 0.54~0.66W | - | 低功耗級別 |
科毅整機光開(kāi)關(guān) | - | 1W | 8ms | 實(shí)現切換時(shí)間與低功耗平衡 |
注:科毅磁光開(kāi)關(guān)在-40℃~+85℃環(huán)境下功耗波動(dòng)<5%,確保極端條件下的穩定性
以量子通信實(shí)驗室24小時(shí)不間斷運行為例,科毅低功耗方案的長(cháng)期節能效益顯著(zhù)。假設實(shí)驗室采用傳統電光開(kāi)關(guān)方案(2×2單元功耗128.3mW)構建4×4矩陣需4個(gè)基本單元,總功耗約513.2mW;而科毅4×4磁光開(kāi)關(guān)功耗<154mW,單設備功耗降低359.2mW。按年運行8760小時(shí)計算,年省電量為359.2mW×8760h≈3.15kWh,若實(shí)驗室部署多臺設備,總節能效益可達到1260度/年,大幅降低長(cháng)期運營(yíng)成本。
關(guān)鍵結論:科毅磁光開(kāi)關(guān)通過(guò)磁光開(kāi)關(guān)供電技術(shù)實(shí)現功耗突破,較傳統方案降低70%以上,在極端環(huán)境下仍保持穩定性能,成為量子通信、太空探測等低功耗場(chǎng)景的理想選擇。

科毅光開(kāi)關(guān)與行業(yè)競品功耗對比
低功耗光開(kāi)關(guān)通過(guò)解決傳統電開(kāi)關(guān)的功耗瓶頸與穩定性挑戰,在數據中心、量子通信及電力系統等關(guān)鍵領(lǐng)域實(shí)現突破,其核心應用場(chǎng)景呈現“技術(shù)痛點(diǎn)-創(chuàng )新方案-量化效益”的閉環(huán)優(yōu)化邏輯。
痛點(diǎn):傳統電開(kāi)關(guān)(如Spine層EPS)在支撐“百萬(wàn)級GPU”AI工廠(chǎng)時(shí),面臨功耗占比超15%、多級胖樹(shù)拓撲導致光纖鏈路數量激增3倍以上的問(wèn)題。
方案:采用MEMS光開(kāi)關(guān)或硅光子開(kāi)關(guān)構建光電路交換(OCS)網(wǎng)絡(luò )。例如,GoogleTPUv4集群通過(guò)32×32無(wú)阻塞MEMS矩陣實(shí)現64個(gè)TPU芯片互聯(lián),科毅4×64矩陣光開(kāi)關(guān)則通過(guò)扁平網(wǎng)絡(luò )設計消除電開(kāi)關(guān)拓撲冗余。
量化效益:GoogleOCS方案使光開(kāi)關(guān)功耗占超算系統的3%,科毅矩陣產(chǎn)品降低數據中心總擁有成本(TCO)35%,硅光子開(kāi)關(guān)支持單數據中心內“百萬(wàn)級GPU”低延遲通信。
痛點(diǎn):量子通信網(wǎng)絡(luò )動(dòng)態(tài)路由需平衡“納秒級響應”與“微瓦級功耗”,傳統機械開(kāi)關(guān)切換壽命<10?次,無(wú)法支撐點(diǎn)對多點(diǎn)QKD網(wǎng)絡(luò )擴展。
方案:采用“4芯光纖+1×16磁光固態(tài)光開(kāi)關(guān)”架構,利用磁光效應實(shí)現無(wú)機械磨損光路切換,適配量子信號的單光子級靈敏度需求。
量化效益:磁光開(kāi)關(guān)切換壽命>10?次,功耗較MEMS開(kāi)關(guān)降低60%,支撐空分復用與量子通信融合網(wǎng)絡(luò ),將點(diǎn)對點(diǎn)QKD系統擴展為多節點(diǎn)網(wǎng)絡(luò )。
痛點(diǎn):特高壓變電站要求光路切換“零中斷”,傳統開(kāi)關(guān)故障切換時(shí)間>50ms,單電源設計存在單點(diǎn)失效風(fēng)險。
方案:科毅2×2磁光開(kāi)關(guān)采用雙冗余設計(電源+控制通道),故障切換時(shí)間≤50ms,通過(guò)-40℃~+85℃寬溫設計適配極端環(huán)境。
量化效益:雙冗余架構使系統平均無(wú)故障工作時(shí)間(MTBF)提升至10?小時(shí),較傳統機械開(kāi)關(guān)可靠性提升3倍,滿(mǎn)足特高壓電網(wǎng)“零中斷”調度要求。
技術(shù)共性要求:三大場(chǎng)景均需光開(kāi)關(guān)同時(shí)滿(mǎn)足“靜態(tài)功耗≤1W+切換壽命>10?次+響應時(shí)間<50ms”指標,其中量子通信場(chǎng)景額外要求單光子級插入損耗(<0.3dB)。
量子通信光開(kāi)關(guān)技術(shù)通過(guò)動(dòng)態(tài)光路管理,已實(shí)現50公里光纖鏈路下的量子密鑰穩定分發(fā),支撐區域級量子通信網(wǎng)絡(luò )構建。
傳統MEMS光開(kāi)關(guān)普遍面臨溫度漂移導致功耗波動(dòng)大、機械旋轉部件能耗高及靜態(tài)功耗冗余等問(wèn)題??埔阃ㄟ^(guò)“材料-結構-算法”協(xié)同創(chuàng )新體系實(shí)現系統性突破,構建起低功耗技術(shù)壁壘。
核心技術(shù)突破
?材料優(yōu)化:采用石墨烯涂層技術(shù),在-40~+85℃寬溫域內光學(xué)性能波動(dòng)控制在±0.1dB以?xún)?,降低驅?dòng)能量需求。
?結構創(chuàng )新:MEMS開(kāi)關(guān)采用非旋轉微反射鏡運動(dòng)與蛇形彈簧結構,結合閂鎖保持光路設計,切換后無(wú)需持續供電,2×2基本單元功耗僅38.5mW,4×4矩陣整體功耗低于154mW;磁光開(kāi)關(guān)全固態(tài)化設計消除機械部件損耗。
?智能算法:AI動(dòng)態(tài)補償技術(shù)優(yōu)化驅動(dòng)信號,某量子實(shí)驗室實(shí)測顯示,AI預測維護系統使功耗異常預警準確率達98%,24小時(shí)插入損耗漂移<0.02dB。
產(chǎn)品參數驗證其低功耗實(shí)效:常規型號開(kāi)關(guān)電流<200mA,電壓5V±5%;機械式光開(kāi)關(guān)(如OSW-1×1型號)提供3.0V/5.0V雙電壓選擇,鎖定模式下5V工作電流36~44mA,3V為54~66mA,通過(guò)電壓脈沖驅動(dòng)減少持續供電需的定制化應用場(chǎng)景。
科毅CNAS實(shí)驗室通過(guò)“功耗-溫度循環(huán)測試”評估極端環(huán)境下的能耗特性,核心流程包括:在-40℃~85℃區間按5℃/min速率循環(huán)控溫,同步監測靜態(tài)功耗、動(dòng)態(tài)切換功耗及浪涌電流。測試中需統計所有供電設備數量,查閱手冊取最大電流值求和,預留20%-30%裕量(應對浪涌疊加與元件老化),確保電源額定輸出滿(mǎn)足總和+裕量要求。
推薦采用集成多物理場(chǎng)的功耗仿真模型(如COMSOLMultiphysics),關(guān)鍵優(yōu)化方向包括:
?驅動(dòng)選型:MEMS光開(kāi)關(guān)優(yōu)先靜電驅動(dòng)(低電壓低功耗),避免熱電驅動(dòng);選用低功耗晶體管輸出(NPN/PNP),通過(guò)中間繼電器擴展驅動(dòng)能力更高效。
?電路與算法:采用低功耗驅動(dòng)技術(shù)與反饋控制,結合動(dòng)態(tài)調光模式(如Econ模式)降低光源靜態(tài)電流達50%以上;CienaWSS光場(chǎng)重構算法動(dòng)態(tài)補償色散,提升能效。
?結構優(yōu)化:MEMS雙穩態(tài)設計減少靜態(tài)功耗,蛇形彈簧結構優(yōu)化應力分布降低驅動(dòng)能耗;硅基光開(kāi)關(guān)集成MEMS微鏡與波導陣列,協(xié)同控制熱光效應與微鏡角度。
南方電網(wǎng)項目通過(guò)精細化控制信號占空比,在MEMS光開(kāi)關(guān)切換間隙將驅動(dòng)信號占空比從50%降至30%,結合自動(dòng)調光模式動(dòng)態(tài)調整LED功率,實(shí)現靜態(tài)功耗降低30%。類(lèi)似地,諾基亞貝爾實(shí)驗室AI原生光開(kāi)關(guān)通過(guò)在線(xiàn)強化學(xué)習優(yōu)化光路配置,能效比(EOP)提升30%,驗證了算法與硬件協(xié)同優(yōu)化的有效性。
工程要點(diǎn):電源設計需預留20%-30%電流裕量,優(yōu)先選擇全固態(tài)芯片(如硅基光波導)與靜電驅動(dòng),通過(guò)結構、算法、控制協(xié)同優(yōu)化實(shí)現低功耗與高穩定性平衡。
行業(yè)趨勢顯示,光開(kāi)關(guān)正朝著(zhù)皮瓦級功耗與全光驅動(dòng)方向突破。OFC2025報告提出“皮瓦級光開(kāi)關(guān)”愿景,推動(dòng)非易失性設計(如相變材料靜態(tài)功耗趨近于零)與超快調制技術(shù)(如BIC技術(shù)實(shí)現萬(wàn)億分之一秒切換),以應對6G與空天通信對低能耗、耐極端環(huán)境的需求。同時(shí),共封裝光學(xué)(CPO)技術(shù)預計2026年主流化,通過(guò)硅光子集成降低系統能耗,支撐AI集群高帶寬需求。
科毅技術(shù)路線(xiàn)圖顯示,2026年將推出“全光驅動(dòng)”開(kāi)關(guān),當前已布局MEMS、磁光、PLC多技術(shù)路線(xiàn):MEMS光開(kāi)關(guān)實(shí)現38×38×25mm小型化與≥10?次長(cháng)壽命,1×8型號切換時(shí)間8ms、插入損耗1.0dB,工作電流≤120mA;與中科院合作的石墨烯光開(kāi)關(guān)通過(guò)表面聲波驅動(dòng),響應時(shí)間<100ps,適配-40~+85℃寬溫場(chǎng)景。
科毅聯(lián)合高校實(shí)驗室開(kāi)發(fā)低功耗材料,如基于相變材料的非易失性光開(kāi)關(guān);與國際光通訊企業(yè)合作優(yōu)化MEMS封裝工藝,同時(shí)依托平面波導集成光學(xué)(PLC)技術(shù)積累,實(shí)現1×32至256路模塊化集成,支撐高密度光網(wǎng)絡(luò )建設。
關(guān)鍵趨勢:低功耗(皮瓦級)、全光驅動(dòng)、硅基集成成為行業(yè)三大主線(xiàn),科毅通過(guò)“材料研發(fā)-產(chǎn)品迭代-生態(tài)協(xié)同”路徑實(shí)現技術(shù)卡位。
光開(kāi)關(guān)選型需建立“問(wèn)題導向”決策框架,結合電源需求、響應速度與場(chǎng)景特性匹配最優(yōu)方案,具體決策路徑如下:
選型決策三步驟
1.電源需求判斷:需不間斷供電場(chǎng)景(如數據中心、光保護系統)選MEMS或WSS(需DC5V外部電源);無(wú)供電條件或極簡(jiǎn)設計場(chǎng)景(如光纖傳感、便攜設備)選AWGR(無(wú)需電源)。
2.響應速度篩選:高速切換場(chǎng)景(ns/ms級,如光網(wǎng)絡(luò )保護)選MEMS(切換時(shí)間≤5ms)或電光開(kāi)關(guān);固定路由場(chǎng)景(如PON系統)選AWGR或磁光開(kāi)關(guān)(無(wú)機械部件,低功耗)。
3.科毅產(chǎn)品匹配:雙冗余電源需求(電力/航天)選OSW-2×2B(3.0/5.0V,故障切換<5ms);低功耗大規模場(chǎng)景選32×32矩陣光開(kāi)關(guān)(功耗<154mW);中小規模測試場(chǎng)景選1×32光開(kāi)關(guān)(+5V,壽命≥10?次)。

科毅光開(kāi)關(guān)電源選型決策指南
實(shí)際選型中需進(jìn)一步平衡功耗敏感(如AWGR平均功耗趨近于0)、可靠性(MEMS閂鎖技術(shù)提升穩定性)與成本,建議通過(guò)科毅官網(wǎng)光開(kāi)關(guān)選型工具輸入具體參數(如電壓、切換速度、通道數)獲取定制方案。
(注:決策樹(shù)圖示呈現電源需求-響應速度-產(chǎn)品型號的映射邏輯,輔助快速定位技術(shù)類(lèi)型)
選擇合適的光開(kāi)關(guān)是一項需要綜合考量技術(shù)、性能、成本和供應商實(shí)力的工作。希望本指南能為您提供清晰的思路。我們建議您在明確自身需求后,詳細對比關(guān)鍵參數,并優(yōu)先選擇像科毅光通信這樣技術(shù)扎實(shí)、質(zhì)量可靠、服務(wù)專(zhuān)業(yè)的合作伙伴。
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(注:本文部分內容可能由AI協(xié)助創(chuàng )作,僅供參考)
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